DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 나노팹 | ko |
dc.contributor.author | 김정우 | ko |
dc.contributor.author | 강일석 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T00:42:35Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T00:42:35Z | - |
dc.date.issued | 2017-11-13 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228730 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 나노 재료를 연성 물질로 매립하거나 유연 기판에 전사하는 방법을 제공하기 위한 나로 재료의 제조 방법으로서, 웨이퍼 상에 희생층을 형성하는 제 1 단계; 상기 희생층 상에 나노 재료와 상기 나노 재료의 상부 및/또는 측면에 접하는 지지패턴을 형성하는 제 2 단계; 상기 나노 재료의 하부에 언더컷을 형성하도록 상기 희생층의 적어도 일부를 제거하는 제 3 단계; 상기 나노 재료의 하부를 충전하고 상기 지지패턴의 상부면이 노출되도록 1차 연성 물질 패턴을 형성하는 제 4 단계; 상기 지지패턴 및 상기 희생층의 나머지를 제거하는 제 5 단계; 및 제거된 상기 지지패턴 및 상기 희생층의 나머지가 점유하던 공간을 충전하도록 2차 연성 물질 패턴을 형성하는 제 6 단계;를 포함한다. | - |
dc.title | 나노 재료의 제조 방법 | - |
dc.title.alternative | Method of fabricating nano material | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김정우 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 강일석 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0169052 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1799080-0000 | - |
dc.date.application | 2015-11-30 | - |
dc.date.registration | 2017-11-13 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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