DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 안병태 | ko |
dc.contributor.author | 김민식 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:46:52Z | - |
dc.date.available | 2017-12-18T04:46:52Z | - |
dc.date.issued | 2009-10-14 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228329 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 CIGS 광흡수층 제조방법 및 CIGS 광흡수층을 포함하는 태양전지에 관한 것으로 구리인듐(CuIn), 구리갈륨(CuGa) 및 셀레나이드 화합물을 기판의 상부에 증착하여 전구체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전구체를 열처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 2개의 금속 합금 타겟과 1개의 셀레나이드 화합물 타켓을 동시에 스퍼터링하거나 순차적으로 적층하여 복합 전구체를 형성한 후, 이를 유독성 기체인 셀렌화수소(H2Se)를 사용하지 않고 셀레늄 분위기에서 열처리하여 CIGS 박막을 제조한다. | - |
dc.title | CIGS 광흡수층 제조방법 및 CIGS 광흡수층을포함하는 태양전지. | - |
dc.title.alternative | CIGS absorber layer fabrication method and solar cell including CIGS absorber layer | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김민식 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0108989 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0922890-0000 | - |
dc.date.application | 2007-10-29 | - |
dc.date.registration | 2009-10-14 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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