DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 윤준보 | ko |
dc.contributor.author | 장원위 | ko |
dc.contributor.author | 이정언 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:43:23Z | - |
dc.date.available | 2017-12-18T04:43:23Z | - |
dc.date.issued | 2008-09-01 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228190 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법에 관한 것이다. 이러한 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법은 다수의 워드라인들, 워드라인들과 교차되는 비트라인들, 각 워드라인에 연결된 게이트 전극, 게이트 전극과 이격되어 형성되며 캐패시터에 연결된 드레인 전극 및 각 비트라인에 연결되고 게이트 전극과 이격되어 형성되며 부착부 및 딤플이 형성된 이동부를 포함하는 소오스 전극을 포함하는 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법이고, 다수의 비트라인들 중에서 선택된 비트라인에는 제1전압(V1)을 인가하는 단계, 다수의 워드라인들 중에서 선택된 워드라인에는 제1전압(V1)과 풀인전압(Vpi)의 합보다 큰 제2전압(V2)을 인가하는 단계, 다수의 워드라인들 중에서 비 선택된 워드라인에는 비트라인의 최소전압(VB/L,min)과 풀인전압(Vpi)의 합보다 작고, 비트라인의 최대전압(VB/L,max)과 상기 풀인전압(Vpi)의 차보다 큰 전압을 인가하는 단계를 더 포함한다. | - |
dc.title | 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법 | - |
dc.title.alternative | METHOD FOR OPERATING MEMORY ARRAY USING MECHANICAL SWITCH | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 윤준보 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 장원위 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이정언 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0048464 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0857085-0000 | - |
dc.date.application | 2007-05-18 | - |
dc.date.registration | 2008-09-01 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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