반도체 집적 회로에서 형성되는 인덕터INDUCTOR FORMED IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

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dc.contributor.author홍성철ko
dc.contributor.author박창근ko
dc.contributor.author이유미ko
dc.date.accessioned2017-12-18T04:43:11Z-
dc.date.available2017-12-18T04:43:11Z-
dc.date.issued2008-04-04-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/228182-
dc.description.abstract반도체 집적회로에서 형성되는 인덕터에 대해 개시하고 있다. 본 발명의 가장 큰 특징은, 반도체 기판 상의 고주파 집적회로 등에서 사용되는 인덕터의 구성요소인 금속선(Metal Line)을 여러 갈래로 나누어 감아 준다는 것이다. 본 발명에 따르면, 높은 인덕턴스 값 및 높은 Q-인자(Quality factor)를 가지는 이점이 있다.-
dc.title반도체 집적 회로에서 형성되는 인덕터-
dc.title.alternativeINDUCTOR FORMED IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor홍성철-
dc.contributor.nonIdAuthor박창근-
dc.contributor.nonIdAuthor이유미-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2007-0044553-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0821618-0000-
dc.date.application2007-05-08-
dc.date.registration2008-04-04-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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