DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.contributor.author | 이현진 | ko |
dc.contributor.author | 류승완 | ko |
dc.contributor.author | 김청진 | ko |
dc.contributor.author | 이희목 | ko |
dc.contributor.author | 전상철 | ko |
dc.contributor.author | 오재섭 | ko |
dc.contributor.author | 이기성 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:42:48Z | - |
dc.date.available | 2017-12-18T04:42:48Z | - |
dc.date.issued | 2008-11-27 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228166 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 셀과 그 제조방법 및 그 구동방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 소자는 반도체기둥, 반도체기둥의 채널이 되는 부분의 전면을 둘러싸도록 형성되고, 반도체기둥의 전면을 둘러싸는 터널링절연막, 터널링절연막을 둘러싸는 부유게이트 및 부유게이트를 둘러싸는 제어절연막을 포함하는 비휘발성 메모리부, 비휘발성 메모리부를 둘러싼 게이트 및 반도체기둥의 채널 좌우에 각각 형성된 소오스와 드레인을 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 전원공급이 중단되더라도 비휘발성 메모리 소자와 같이 단위 셀 안에 저장된 데이터를 유지할 수 있고, 전원공급시에는 디램 소자와 같이 고속으로 동작할 수 있는 전면게이트 구조의 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM-Dynamic Random Access Memory), 부유 게이트(Floating Gate), 전면 게이트 | - |
dc.title | 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 셀과 그제조방법 및 그 구동방법 | - |
dc.title.alternative | 3-DIMENSIONALLY ALL-AROUND GATE STRUCTURAL WITH NON-VOLATILE DRAM CELL, THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND THE METHOD OF DRIVING THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이현진 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 류승완 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김청진 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이희목 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 전상철 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 오재섭 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이기성 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0036124 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0871832-0000 | - |
dc.date.application | 2007-04-12 | - |
dc.date.registration | 2008-11-27 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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