본 발명은 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나에 관한 것으로서, 단부가 단락되도록 꺾인 전송선로로 근접 결합 급전 구조를 이용하여 급전부를 형성시킴으로써, 임피던스의 정합이 용이하고, Double-PIFA(Planar Inverted-F Antenna)구조의 방사부는 1/8 파장의 크기로 금속위에 방사 패치층이 형성됨으로써 금속부착이 가능하고 소형화가 가능한 구조이며, 입력 리액턴스 특성은 급전부의 길이 또는 주 급전부와 부 급전부 사이의 폭을 조절함으로써, 입력 저항 특성은 급전부와 방사 패치 사이의 거리를 조절함으로써 용이하게 조정가능하고, 금속 표면에 부착되더라도 공진 주파수가 일정하여 산업화가 가능하며, 북미의 RFID 주파수 대역인 902MHz~928MHz에서 동작하는 광대역 RFID 태그 안테나를 제공하기 위한 것으로서, 그 기술적 구성은 하부에 형성된 PIFA(Planer Inverted-F Antenna) 하부 방사 패치층과, 상기 하부 방사 패치층의 상부면에 적층되는 PIFA(Planer Inverted-F Antenna) 상부 방사 패치층으로 이루어지는 더블 방사 패치층; 상기 하부 방사 패치층의 타면에 형성된 접지층; 상기 하부 방사 패치층과 동일한 면에 평행하도록 형성시켜 RF 전력을 상기 각 방사 패치층으로 공급하는 급전부; 상기 급전부의 일측에 구비되는 태그칩; 상기 각 방사 패치층의 일측 및 상기 급전부의 일측을 접지면과 단락시키는 단락부; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.