ＣＭＯＳ 이미지 센서의 단위 픽셀Pixel unit in cmos image sensor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양경훈 | ko |
| dc.contributor.author | 이성식 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:36:07Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:36:07Z | - |
| dc.date.issued | 2008-03-13 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/227990 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀에 관한 것이다.본 발명에 의한 CMOS 이미지 센서의 픽셀 단위는, 제 1 포토다이오드가 포함된 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀에 있어서, 제 1 포토다이오드의 캐소드에 소스가 연결된 포토게이트 트랜지스터; 및 포토게이트 트랜지스터의 드레인에 캐소드가 연결된 제 2 포토다이오드를 더 구비하여, 포토게이트에 인가되는 양의 정전압(VPG)을 제어하여 제 1 포토다이오드의 캐패시턴스(CPD) 및 제 2 포토다이오드의 캐패시턴스(CPG)의 조합에 의한 비선형적인 인테그레이션 캐패시턴스(Cint)를 조절 가능하며, 포토게이트에 인가되는 양의 정전압(VPG)을 제어하여, 인테그레이션 캐패시턴스가(Cint)가 제 1 및 제 2 포토다이오드의 캐패시턴스의 합(CPD+CPG)에서 제 1 포토다이오드의 캐패시턴스(CPD)로 변하는 천이 전압 레벨(transition voltage level : VPG-VTH)인 포토게이트에 인가하는 전압(VPG)과 포토게이트의 문턱 전압(VTH)의 차이를 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | ＣＭＯＳ 이미지 센서의 단위 픽셀 | - |
| dc.title.alternative | Pixel unit in cmos image sensor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 양경훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이성식 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0073846 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0815243-0000 | - |
| dc.date.application | 2006-08-04 | - |
| dc.date.registration | 2008-03-13 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- EE-Patent(특허)
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