높은 광감도를 갖는 ＣＭＯＳ 이미지 센서 및 이의 제조방법Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensorhaving high photosensitivity and method for fabricatingthereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 김국환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:32:25Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:32:25Z | - |
| dc.date.issued | 2007-10-10 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/227866 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 CMOS 이미지 센서의 고 집적화시 광감도(photosensitivity)를 획기적으로 높일 수 있도록 하기 위한 것으로, 일 실시예로 수광 소자 영역 및 트랜지스터 영역이 정의된 반도체 기판을 준비하는 단계와, 수광 소자 영역에 플라즈마 방전을 발생시켜 미세 먼지를 형성시키는 단계, 미세 먼지를 마스크로 식각하여 수광 소자 영역에 미소 기둥을 형성하는 단계, 및 미세 먼지를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 제조 방법으로 수광 소자의 상단에 미소 기둥이 다수개 형성된 구조를 갖는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다. CMOS 이미지 센서, 미소 기둥(nanopillar), 수광 소자(photodiode), 트랜스퍼 게이트(transfer gate), 암전류(dark current), 플로팅 디퓨전(floating diffusion) | - |
| dc.title | 높은 광감도를 갖는 ＣＭＯＳ 이미지 센서 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensorhaving high photosensitivity and method for fabricatingthereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김국환 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0001335 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0767629-0000 | - |
| dc.date.application | 2006-01-05 | - |
| dc.date.registration | 2007-10-10 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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