Sub-um SOI-MOSEFET 제작 및 양자효과: SOL 단전자 터널링 트랜지스터 제작 기반 연구Sub-μm SOI MOSFET Fabrication and the Quantum Effect
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 신형철 | ko |
| dc.contributor.author | 이귀로 | ko |
| dc.date.accessioned | 2010-12-15T02:38:41Z | - |
| dc.date.available | 2010-12-15T02:38:41Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1998-03 | - |
| dc.identifier.citation | 응용물리, v.11, no.2, pp.192 - 194 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/21054 | - |
| dc.description.abstract | SOI(silicon-on-insulator) 단전자터널링 트랜지스터 제작을 위한 기반연구로서 SIMOX(separation by implanted oxygen) 기판을 사용, KAIST SOI 표준공정과 e-beam 나노패터닝에 의해 0.6um의 전자전도채널 길이를 갖는 sub-um SOI-MOSFET을 제작하였다. 강자장 10T, 저온 1.5K까지 수행된 자기수송 실험에서 SdH 양자자기진동을 측정하였는데 Vg=3V 이상에서 나타나기 시작, 게이트전압이 증가할수록 진동이 고자기장 방향으로 단조적으로 이동함을 보였으며 15K 이상의 온도에서는 진폭이 거의 사라졌다. 측정 결과는 Landau 준위 fan diagram 계산에 의해 정량적으로 분석, gate oxide/SOI 계면에 형성된 반전층의 2차원 전자에너지부띠 양자화를 입증하였다. 실험결과는 게이트에 의해 제어되는 SOI 단전자 소자 제작에 필수적으로 선행되어야 하는 우수한 양자화특성을 갖는 2차원전자가스 운반자저장고 형성의 기초를 제공할 수 있다. | - |
| dc.description.sponsorship | 본 연구는 한국과학재단 특정기초연구의 지원하에 수행되었다. | en |
| dc.language | Korean | - |
| dc.language.iso | ko | en |
| dc.publisher | 한국물리학회 | - |
| dc.title | Sub-um SOI-MOSEFET 제작 및 양자효과: SOL 단전자 터널링 트랜지스터 제작 기반 연구 | - |
| dc.title.alternative | Sub-μm SOI MOSFET Fabrication and the Quantum Effect | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 11 | - |
| dc.citation.issue | 2 | - |
| dc.citation.beginningpage | 192 | - |
| dc.citation.endingpage | 194 | - |
| dc.citation.publicationname | 응용물리 | - |
| dc.embargo.liftdate | 9999-12-31 | - |
| dc.embargo.terms | 9999-12-31 | - |
| dc.contributor.localauthor | 신형철 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이귀로 | - |
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