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Density functional theory based study of effects of heterojunction and oxide interface traps on III-V FETs = III-V 이종접합 및 옥사이드 계면 트랩의 영향에 대한 제일원리 기반의 모델링 및 소자 시뮬레이션link Cho, Yucheol; Shin, Mincheol; et al, 한국과학기술원, 2020 |
GaSb/InAs Heterojunction-based UTB Tunnel FETs: A first principles study 조유철; 신민철; 장윤희, 제 26회 한국반도체학술대회, 제 26회 한국반도체학술대회, 2019-02-15 |
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