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HgCdTe-MISFET 제작 및 2-D Subband 양자화 이희철; 이철희; 백승원; 박종완; 최중범; 유경화; 정한, 제 7회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.54 - 56, 1996 |
Si/Si0.8Ge0.2/Si 양자우물구조에서의 정공특성 분석Analysis hole property in Si/Si0.8Ge0.2/Si Quantum Well 홍성철; 전상훈; 이승창; 유경화, 제 2회 한국반도체 학술대회, Si/SiGe, pp.271 - 272, 1995 |
SOI 양자소자 제작과 단전자터널링 특성 이병탁; 박규술; 이철희; 백승원; 이상돈; 박종완; 김장한; et al, 한국물리학회지, v.34, no.6, pp.501 - 502, 1998-03 |
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