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Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조 이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15 |
반도체 소자, 그의 제조 방법, 및 이를 구비하는 반도체 장치 조병진; 안현준; 문정민 |
순환신경망을 이용한 도플러 채널 예측 조선영; 손지용; 한동준; 문재균; 안현준, 한국통신학회논문지, v.43, no.4, pp.629 - 636, 2018-04 |
원자층 증착 방법을 이용한 낮은 일함수를 갖는 탄화에르븀 박막 증착 및 에르븀저마나이드 형성에 대한 연구 = Atomic layer deposition of erbium carbide film for n-type workfunction metal and erbium germanide 안현준; Ahn, Hyunjun; et al, 한국과학기술원, 2015 |
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