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Characteristics of tunneling nitride grown by electron cyclotron resonance nitrogen-plasma nitridation and its application to low-voltage electrical erasable-programmable read-only memory Min, KS; Chung, JY; Lee, Kwyro, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES REVIEW PAPERS, v.40, no.4B, pp.2963 - 2968, 2001-04 |
Polysilicon thin film transistor EEPROMs using ECR $N_2O$-plasma thin oxide as tunnel oxide and interpoly dielectric = 얇은 ECR $N_2O$-플라즈마 산화막을 tunnel oxide 및 interpoly dielectric으로 사용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 EEPROMs에 대한 연구link Lee, Nae-In; 이내인; et al, 한국과학기술원, 1999 |
Temperature dependent universal mobility modeling and ECR plasma nitridation of Si for fast EEPROM = 온도 의존성을 갖는 전자 및 정공의 이동도 모델과 고속 EEPROM을 위한 ECR 플라즈마 질화 절연막에 대한 연구link Min, Kyeong-Sik; 민경식; et al, 한국과학기술원, 1997 |
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