최적화된 Zn Diffusion 과 p-type Ohmic Contact 공정을 이용한 광통신용 Planar-type InGaAs/InP Avalanche Photodiode 의 제작 및 특성 분석Fabrication and Characterization of Planar-type InGaAs/InP Avalanche Photodiodes using Optimized Zn Diffusion and p-type Ohmic Contact for Optical Communications
- Advisors
- 양경훈researcher; Yang, Kyoung-Hoon
- Description
- 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2011
- Identifier
- 482791/325007 / 020093141
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 2011.8, [ iv, 42 p. ]
- Keywords
애벌런치 포토다이오드; 인듐갈륨비소; 인듐인; 아연 확산; APD; InGaAs; InP; Zn diffusion; Avalanche photodiode
- Appears in Collection
- EE-Theses_Master(석사논문)
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