HfLaO 게이트 절연막을 이용한 그래핀 전계효과 트랜지스터의 Dirac 전압 조율과 PVP 고분자 절연막을 이용한 그래핀 기반의 RF 트랜지스터 개발Tunable dirac voltage of graphene field effect transistor with HfLaO Gate dielectric and development of RF transistor based on graphene using PVP polymer dielectric
- Advisors
- 조병진researcher; Cho, Byung-Jin
- Description
- 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2012
- Identifier
- 486817/325007 / 020103380
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 2012.2, [ vi, 40 p. ]
- Keywords
디락 전압; 그래핀; 하프니움 화합물; 란타늄 화합물; Graphene; Dirac Voltage; Hafnium Compound; Lanthanum Compound; RF Transistor; 라디오주파수 트랜지스터
- Appears in Collection
- EE-Theses_Master(석사논문)
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