서로 다른 High-k 박막에 대해서 TMA 전처리에 따른 Ge/High-k 게이트 구조에서의 계면의 특성과 히스테리시스에 대한 연구Study on interface quality and hysteresis of Ge/High-k gate stack with TMA pretreatment for different High-k dielectrics
- Advisors
- 이석희researcher; Lee, Seok-Hee
- Description
- 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2012
- Identifier
- 486833/325007 / 020103493
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 2012.2, [ vii, 56 p. ]
- Keywords
하이케이; 게르마늄; 계면 패시베이션; High-k; Germanium; interface passivation; TMA pretreatment; TMA 전처리
- Appears in Collection
- EE-Theses_Master(석사논문)
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