Gate Controlled Diode를 이용한 HgCdTe의 표면재결합속도 측정
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이희철 | - |
| dc.contributor.author | 최종화 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-16T15:53:18Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-16T15:53:18Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | 제6회 한국반도체 학술대회, v., no., pp.183 - 184 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/132852 | - |
| dc.language | KOR | - |
| dc.title | Gate Controlled Diode를 이용한 HgCdTe의 표면재결합속도 측정 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.beginningpage | 183 | - |
| dc.citation.endingpage | 184 | - |
| dc.citation.publicationname | 제6회 한국반도체 학술대회 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.contributor.localauthor | 이희철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최종화 | - |
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