Crystallization at Low temperature of BST Thin Films prepared by LSMCVDLSMCVD 공정으로 제조한 BST 박막의 저온 결정화
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박진 | - |
| dc.contributor.author | 정현진 | - |
| dc.contributor.author | 박승빈 | - |
| dc.contributor.author | 우성일 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-15T22:54:01Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-15T22:54:01Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1998-04-01 | - |
| dc.identifier.citation | 한국화학공학회 춘계학술발표회, v., no., pp. - 993 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/124804 | - |
| dc.description.abstract | LSMCVD 방법을 이용해서, Ba(dpm)2와 Sr(dpm)2, 그리고 TTIP를 1-butanol에 용해 시킨 전구 용액으로 Pt/SiO2/Si 기판 위에 BST 박막을 증착했다. 박막은 650℃에서 (110)방향성이 우세한 perovskite 구조를 갖고 균일한 표면을 보였으며, 그 이상의 온도는 결정성에 영향이 없었다. 유전상수는 240, tan 는 0.39 (각각 0V, 100kHz 기준), 그리고 누설전류밀도는 2.5×10-5A/cm2(1.5V기준)의 값을 보였다. | - |
| dc.language | ENG | - |
| dc.publisher | 한국화학공학회 | - |
| dc.title | Crystallization at Low temperature of BST Thin Films prepared by LSMCVD | - |
| dc.title.alternative | LSMCVD 공정으로 제조한 BST 박막의 저온 결정화 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.endingpage | 993 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국화학공학회 춘계학술발표회 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.contributor.localauthor | 우성일 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정현진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박승빈 | - |
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