플라즈마 양극 산화법에 의한 Al2O3/InP 게이트 절연막을 가진 InP MISFET의 제작
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 권영세 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-14T18:33:59Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-14T18:33:59Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1982 | - |
| dc.identifier.citation | 대한전기학회 하계 학술회의, v., no., pp. - | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/111895 | - |
| dc.language | KOR | - |
| dc.title | 플라즈마 양극 산화법에 의한 Al2O3/InP 게이트 절연막을 가진 InP MISFET의 제작 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.publicationname | 대한전기학회 하계 학술회의 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.contributor.localauthor | 권영세 | - |
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