Showing results 1 to 2 of 2
Development of process technology for high performance Ge MOSFETs = 단위 공정 연구를 통한 고성능 게르마늄 소자 개발link Seo, Yu Jin; 서유진; et al, 한국과학기술원, 2017 |
질화물 박막 증착 방법을 이용한 금속/게르마늄 접합의 쇼트키 장벽 높이 조절 = Schottky barrier height modulation of metal/germanium junction by using nitride thin films depositionlink 이석원; Lee, Suk-Won; et al, 한국과학기술원, 2014 |
Discover