Browse by Subject 페르미 준위 고정
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| Development of process technology for high performance Ge MOSFETs = 단위 공정 연구를 통한 고성능 게르마늄 소자 개발link Seo, Yu Jin; 서유진; et al, 한국과학기술원, 2017 |
| 질화물 박막 증착 방법을 이용한 금속/게르마늄 접합의 쇼트키 장벽 높이 조절 = Schottky barrier height modulation of metal/germanium junction by using nitride thin films depositionlink 이석원; Lee, Suk-Won; et al, 한국과학기술원, 2014 |
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Open Access
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- 100,009 2010 - 2019
- 75,681 2000 - 2009
- 44,727 1990 - 1999
- 14,360 1980 - 1989
- 62 1964 - 1969