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InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor ballasted with extended ledge resistor = 레지부분 베이스 저항으로 열 안정화된 InGaP/GaAs 이종접합 바이폴라 트랜지스터link

Jeon, Sang-Hoon; 전상훈; et al, 한국과학기술원, 2001

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