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Al, Ga) 와 dialkylhydrazone 의 반응 및 MOCVD 법에 의한 AlN 박막의 제조 = $MMe_3$ (Mlink 박정원; Park, Joung-Won; et al, 한국과학기술원, 2001 |
Precursor approaches to MN (M = Ga, In) and BST for optical and memory devices = 광소자용 MN (M = Ga, In) 및 메모리소자용 BST박막 제조를 위한 선구물질 연구link Bae, Byoung-Jae; 배병재; et al, 한국과학기술원, 2003 |
Synthesis and characterization of hydrazido- and azido- single precursors for growth of MN (M = Al, Ga) thin films = MN (M = Al, Ga) 박막제조용 hydrazido- 와 azido- 단일 선구물질의 합성, 특성화 및 박막성장에 관한 연구link Cho, Dong-Won; 조동원; et al, 한국과학기술원, 2000 |
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