반응성 스퍼터링법으로 증착된 코발트 나이트라이드(Co-N) 박막을 이용한 (100) Si 기판에서의 $CoSi_{2}$ 에피층 형성에 관한 연구 = Formation of epitaxial $CoSi_{2}$ layer on (100) Si substrate using cobalt nitride(Co-N) film deposited by reactive sputtering

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Advisors
안병태researcherAhn, Byung-Taeresearcher
Description
한국과학기술원 : 신소재공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2004
Identifier
238329/325007  / 020023438
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2004.2, [ iii, 84 p. ]

Keywords

반응성 스퍼터링; 에피층; 코발트 나이트라이드; 코발트 실리사이드; 에피택셜 코발트 실리사이드; EPITAXIAL COBALT SILICIDE; CO-N; COBALT NITRIDE; COBALT SILICIDE

URI
http://hdl.handle.net/10203/51615
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=238329&flag=dissertation
Appears in Collection
MS-Theses_Master(석사논문)
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