DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김영필 | ko |
dc.contributor.author | 최시경 | ko |
dc.contributor.author | 김현경 | ko |
dc.contributor.author | 문대원 | ko |
dc.date.accessioned | 2013-03-03T09:42:35Z | - |
dc.date.available | 2013-03-03T09:42:35Z | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.issued | 1998-01 | - |
dc.identifier.citation | 한국진공학회지, v.7, no.1, pp.35 - 42 | - |
dc.identifier.issn | 1225-8822 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/78239 | - |
dc.description.abstract | 100keV $O^+$이온 빔에 의해 형성된 separation by implanted oxygen(SIMOX) silicon on insulator (SOI)의 열처리 전후의 계면 구조를 high resolution transmission electron microscopy(HRTEM)을 이용하여 관찰하였다. 실리콘 주입 온도 550℃에서 ~$5\times 10^{17}\textrm{cm}^{-2}O^+$를 주입한 직후의 계면은 매우 거칠고 산화물 석출, stacking fault, coesite $SiO2 상 석출물 등 여러 가지 형태의 결함들을 가지고 있었다. 반면, 이것을 1300℃에서 열처리한 후의 계면은 매우 편편하고 잘 정의된 계면으로 변하였다. 열처리후의 계면은 HRTEM을 통해서 3keV$O_2^\;+$이온 빔에 의해 형성된 산화막 계면, 그리고 게이트 산화막으로 사용되는 ~ 6nm열 산화막 계면과 비교하여 볼 때 비슷한 수준의 roughness를 보여 주었다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.publisher | 한국진공학회 | - |
dc.title | 100keV O+이온 빔에 의한 SIMOX SOI의 SI-SiO2의 계면 구조 | - |
dc.title.alternative | The Si-SiO2 interface structure of a SIMOX SOI formed by 100keV O+ ion beam | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.citation.volume | 7 | - |
dc.citation.issue | 1 | - |
dc.citation.beginningpage | 35 | - |
dc.citation.endingpage | 42 | - |
dc.citation.publicationname | 한국진공학회지 | - |
dc.contributor.localauthor | 최시경 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김영필 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김현경 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 문대원 | - |
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