RF-magnetron Sputtering Process를 이용한 a-축우선 배향된 PLZT(x/0/100) 박막에 제조Characterization and Preparation of a-axis Preferred Oriented PLZT(x/0/100) Thin Films Deposited by RF-magnetron Sputtering Process
RF-magnetron Sputtering Process를 이용하여 Pt/Ti/Si(100)기판위에 lanthanum-modified lead titanate 박막을 제작하였다. 기판온도와 증착시간이 증가함에 따라 증착율은 감소하였다. 기판온도가 증가함에 따라 fine grain들은 large grain으로 변화하였다. Perovskite구조는 기판온도 540℃, gas pressure 30mtorr에서 나타나기 시작하였다. 본 실험에서 perovskite 박막제작에 대한 조건은 기판온도 580℃, gas pressure 30mtorr였다. Pt/Ti/Si(100) 우선 배향된 박막을 얻었다. La양이 증가함에 따라 유전율, 항전계, 잔류분극량은 증가하였다. 중심주파수가 44.7MHz, 전파속도는 2680m/sec를 가지는 SAW filter 특성을 얻었다.
- Publisher
- 한국재료학회
- Issue Date
- 1997-07
- Language
- Korean
- Citation
한국재료학회지, v.7, no.6, pp.522 - 528
- ISSN
- 1225-0562
- Appears in Collection
- MS-Journal Papers(저널논문)
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