DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 남효진 | ko |
dc.contributor.author | 노광수 | ko |
dc.contributor.author | 이원종 | ko |
dc.date.accessioned | 2013-02-27T15:07:12Z | - |
dc.date.available | 2013-02-27T15:07:12Z | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.issued | 1998-04 | - |
dc.identifier.citation | 한국재료학회지, v.8, no.12, pp.1152 - 1157 | - |
dc.identifier.issn | 1225-0562 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/69247 | - |
dc.description.abstract | 금속 타겟들을 이용한 반응성 스퍼터링법으로 $460~540^{\circ}C$범위에서 $Pt/Ti/SiO2/Si 기판위에 PZT 박막을 증착하였다. Perovskite상의 핵형성을 위해 Pb 휘발이 적은 저온($480^{\circ}C$)에서 짧은 시간 동안 PZT 박막을 증착한 후 Pb가 PBT 박막내에 과잉으로 함유되는 것을 억제하기 위하여 증착 온도를 증가시켜 박막을 증착하는 2단계 증착법을 사용한 결과 540℃의 고온에서도 perovskite 단일상과 화학양론비에 가까운 조성을 얻을 수 있었다. 2단계 증착법으로 제조된 PZT 박막은 우수한 전기적 특성을 나타내었으며 후속 RTA 처리로 더욱 특성을 향상시킬 수 있었는데 $17\mu$C/cm²의 잔류분극, 45kv/cm의 coercive field, 그러고 -500kv/cm의 높은 전기장에서도 10-4 A/cm²의 양호한 누설전류 특성을 나타내었다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.publisher | 한국재료학회 | - |
dc.title | 2단계 증착법으로 제조된 Pb(Zr,Ti)O3 박막의 특성 | - |
dc.title.alternative | The properties of Pb(Zr,Ti)O3 thin films fabricated by 2-step method | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.citation.volume | 8 | - |
dc.citation.issue | 12 | - |
dc.citation.beginningpage | 1152 | - |
dc.citation.endingpage | 1157 | - |
dc.citation.publicationname | 한국재료학회지 | - |
dc.contributor.localauthor | 노광수 | - |
dc.contributor.localauthor | 이원종 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 남효진 | - |
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