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1
First-principles study on defects related to the instability of MOSFET and TFT devices = 제일원리 계산을 통한 MOSFET 및 TFT 소자의 불안정성 관련 결함에 대한 연구link

Noh, Hyeon-Kyun; 노현균; et al, 한국과학기술원, 2013

2
First-principles study on the mechanism for boron diffusion at SiGe/SiO$_2$ interfaces. = 제일원리 계산을 통한 규소게르마늄-규소산화물 계면에서의 붕소 확산 메카니즘 연구link

Lee, Chang-Hwi; 이창휘; et al, 한국과학기술원, 2014

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