DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 이원종 | - |
dc.contributor.advisor | Lee, Won-Jong | - |
dc.contributor.author | 최승욱 | - |
dc.contributor.author | Choi, Seung-Wook | - |
dc.date.accessioned | 2011-12-15T01:50:36Z | - |
dc.date.available | 2011-12-15T01:50:36Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=419068&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/51861 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2010.2, [ iv, 51 p ] | - |
dc.description.abstract | 반도체 패키지에서 중요한 기술중 하나가 TSV/T(Through Silicon Via/Trench)의 형성과 채움이다. 구리는 채움에 아주 적합한 물질이기 때문에 구리 채움에 관한 연구가 많이 이루어 졌다. 그러나 반도체 소자의 고집접화 및 소형화에 따라서 구리보다 더 좋은 전기적 성질이 요구될 것이다. CNT는 매우 좋은 전기적 성질을 가지는 것으로 알려져 있다. 수직성장시킨 CNT는 catalyst의 agglomeration때문에 CNT사이에 빈 공간이 존재한다. 만약 이 빈 공간이 금속으로 채워진다면 구리보다 더 좋은 전기적 성질이 기대되어 진다. 본 연구에서는 수직성장시킨 CNT와 금속의 복합재료를 이용하여 TSV/T를 채우고자 하였다. TSV/T 채움을 위해서 필수적으로 요구되는 수직성장된 CNT의 선택적인 성장을 위해서 알루미늄을 증착하였다. TSV/T 채움을 위해 2가지 방법이 사용되었다. 첫번째는 Auto-clave를 사용하였다. Via가 용융된 금속에 담궈진 후에 고압을 통해 TSV/T가 채워지게 된다. 두번째로 전기도금법을 사용하였다. 우선 수직성장시킨 CNT와 금속의 복합재료를 평판시편위에서 제작하였으며 이를 trench에 적용시켰다. | kor |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | TSV | - |
dc.subject | carbon nanotube | - |
dc.subject | 복합재료 | - |
dc.subject | 카본나노튜브 | - |
dc.title | 수직성장시킨 CNT와 금속의 복합재료를 이용한 through-Si via/trench filling에 관한 연구 | - |
dc.title.alternative | Study on the through-Si via/trench filling with vertically-grown CNT and metal composite | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 419068/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 신소재공학과, | - |
dc.identifier.uid | 020083531 | - |
dc.contributor.localauthor | 이원종 | - |
dc.contributor.localauthor | Lee, Won-Jong | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.