금속유기화학기상증착법과 반응성 스퍼터링법으로 증착된 $CoN_x$ 박막을 이용하여 (100) Si 기판에서의 에피택셜 $CoSi_2$의 성장에 관한 연구Growth of epitaxial $CoSi_2$ layer on (100) Si substrate using $CoN_x$ film deposited by metallorganic chemical vapor deposition and reactive sputtering
- Advisors
- 안병태researcher; Ahn, Byung-Taeresearcher
- Description
- 한국과학기술원 : 신소재공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2006
- Identifier
- 254278/325007 / 020015813
- Language
- kor
- Description
학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2006.2, [ xii, 162 p. ]
- Keywords
metallorganic chemical vapor deposition; reactive sputtering; CoNx; epitaxial silicide; 반응성 스퍼터링; 금속유기화학기상증착법; 코발트 나이트라이드; 에피택셜 실리사이드; 코발트 실리사이드
- Appears in Collection
- MS-Theses_Ph.D.(박사논문)
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