| 1 | Kinetic model for cavity filling in CECVD of copper = 촉매 처리에 의한 구리 CECVD의 cavity filling 현상에 관한 모델link Lee, Hyun-Bae; 이현배; Kang, Sang-Won; 강상원, 한국과학기술원, 2005 |
| 2 | Bottom-up fill of submicron features in catalyst-enhanced chemical vapor deposition of copper = 촉매처리에 의한 Cu CECVD의 Bottom-up fill 현상에 관한 연구link Shim, Kew-Chan; 심규찬; Kang, Sang-Won; 강상원, 한국과학기술원, 2001 |
| 3 | 구리확산방지막용 질화텅스텐 박막의 열적 안정성과 미세구조 = Thermal stabilities and microstructures of $WN_x$ films as a Cu diffusion barrierlink 서봉석; Suh, Bong-Seok; 박종욱; Park, Chong-Ook, 한국과학기술원, 2000 |
| 4 | 구리 CECVD를 이용한 3-D packaging용 through-Si via/trench filling에 대한 연구 = Through-Si via/trench filling for 3-D packaging by copper catalyst-enhanced chemical vapor depositionlink 이도선; Lee, Do-Seon; 이원종; Lee, Won-Jong, 한국과학기술원, 2009 |
| 5 | 반도체 배선용 구리 전기도금막의 Self-annealing 기구분석 = Analysis of self-annealing mechanism in electroplated Cu thin film for the interconnect of semiconductor deviceslink 이창희; Lee, Chang-Hee; 박종욱; Park, Chong-Ook, 한국과학기술원, 2003 |
| 6 | (A) study on the interfacial reaction between lead-free solders and electroplated Ni or Cu metallization and its effect on mechanical reliability = 무연솔더와 전기도금된 니켈 및 구리와의 계면반응과 기계적 신뢰성에 미치는 영향에 관한 연구link Kim, Jong-Yeon; 김종연; Yu, Jin; 유진, 한국과학기술원, 2008 |
