Design of an MOS shift register

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MOS transistor 이론으로 부터 turn on turn off time 을 구하여 clock 전압이 -10Volt 일때 830 KHZ 까지 동작하는 shift register 를 설계하였다. 이 설계에 의한 8 -bit shift register 를 실제로 시험제작한 결과 fall time 이 설계치 0.6 $\mu$ sec 보다 약간 큰 0.8 $\mu$ sec 로 측정되었다. Input data 와 clock 간의 관계를 살폈으며, leakage 에 의한 최저동작 주파수와 duty cycle, clock 전압 및 field inversion에 의한 최대동작 주파수를 실험적으로 구하였다. 본 논문에 제시한 설계방법을 따라 1 Kbit 이상의 MOS shift register 를 설계, 제작할 수 있음을 실험적으로 확증하였다.
Advisors
김충기Kim, Choong-Ki
Description
한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
1976
Identifier
62011/325007 / 000741120
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1976.2, [ [ii], 46 p. ]

URI
http://hdl.handle.net/10203/39428
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=62011&flag=dissertation
Appears in Collection
EE-Theses_Master(석사논문)
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