GaAs 가변이득 증폭기 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaAs variable gain amplifiers

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본논문에서는 두가지 형태의 가변이득 증폭기(가변 attenuator 피이드백 가변이득 증폭기, Active 피이드백 가변이득 증폭기)가 설계 되었고, 제작 되었다. KAIST에서 확립된 갈륨-비소 MESFET을 이용한 모노리식 초고주파 마이크로웨이브 집적회로로 제작 되었다. 모노리식 초고주파 마이크로웨이브 집적 회로 제작의 주요 공정은 게이트 리세스, NiCr박막저항, 메탈-절연체-메탈 구조의 커패시터를 제작하기 위해 SiNx 절연체 증착, 금도금공정 이다. 제작된 가변 attenuator 피이드백 가변이득 증폭기는 이득이 5.1dB에서 15.2dB 까지 가변되어, 약 10dB 이득가변 범위를 가졌다. 그리고 Active 피이드백 가변이득 증폭기는 이득이 1.5dB에서 13dB까지 가변되어, 11dB의 이득가변 범위를 가진다.
Advisors
권영세researcherKwon, Young-Seresearcher
Description
한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2000
Identifier
157449/325007 / 000983296
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공, 2000.2, [ 48 p. ]

Keywords

가변감쇄기; 가변이득증폭기; 갈륨-비소프로세스; GaAs fabrication; Attenuator; Variable gain amplilifer

URI
http://hdl.handle.net/10203/37290
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=157449&flag=dissertation
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EE-Theses_Master(석사논문)
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