ECR $N_2O$-플라즈마 게이트 산화막을 사용한 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 온도 영향과 안정성 향상에 관한 연구 = Temperature effects and stability improvements in high performance poly-Si TFT with ECR $N_2O$-plasma gate oxide

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dc.contributor.advisor한철회-
dc.contributor.advisorHan, Chul-Hi-
dc.contributor.author이충헌-
dc.contributor.authorLee, Chung-Heon-
dc.date.accessioned2011-12-14T01:44:28Z-
dc.date.available2011-12-14T01:44:28Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=150895&flag=dissertation-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/37206-
dc.description학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 1999.2, [ ii, 53 p. ]-
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subject박막 트랜지스터-
dc.subjectECR plasma oxide-
dc.subjectPolysilicon-
dc.subjectTemperature effects-
dc.subjectStability-
dc.subjectTFT-
dc.subject안정성-
dc.subject온도 영향-
dc.subject다결정 실리콘-
dc.subjectECR 플라즈마 산화막-
dc.titleECR $N_2O$-플라즈마 게이트 산화막을 사용한 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 온도 영향과 안정성 향상에 관한 연구 = Temperature effects and stability improvements in high performance poly-Si TFT with ECR $N_2O$-plasma gate oxide-
dc.typeThesis(Master)-
dc.identifier.CNRN150895/325007-
dc.description.department한국과학기술원 : 전기및전자공학과, -
dc.identifier.uid000973551-
dc.contributor.localauthor한철회-
dc.contributor.localauthorHan, Chul-Hi-
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EE-Theses_Master(석사논문)
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