T-Gate를 이용한 MESFET 및 feedback amplifier 제작

Abstract

측벽형성공정으로 만들어진 T-Gate는 길이가 0.3㎛이하이다. 몇 년전 다층 포토레지스트와 실리콘 산화막으로 만들어 졌었지만 공정이 복잡하고 어려웠다. 이번에 새로 제안된 방법은 단지 실리콘 질화막만을 사용하기 때문에 공정이 간단화 되었다. 이 방법은 1㎛의 포토리소그래피 공정을 사용하기 때문에 양산성이 좋고 저가이다. 개발된 T-Gate공정으로 부터 T-Gate 전계효과 트랜지스터가 만들어 졌다. $g_m$은 140mS/mm이고 $f_T$ 및 $f_{max}$는 20GHz이다. 1㎛에 비교해서 약간의 향상이 있다. 되먹임 증폭기도 T-Gate를 사용해서 제작되었는데, mask에는 4종류의 증폭기가 있었고, 모든 증폭기가 성공적으로 제작되고 측정되었다. 그 결과로 부터 새로 제안된 T-Gate공정이 모든 MMIC공정에 응용될 수 있음이 입증되었다.