Ge(100)표면에서 1,1′-binaphthyl-2,2′-diamine의 흡착구조에 관한 연구

Abstract

이 실험에서는 UHV-STM을 이용하여 Ge(100) 표면에서 1,1′-binaphthyl-2,2′-diamine(BINAM) 분자의 흡착 반응에 대하여 연구하였다. 상온에서 coverage와 voltage에 따른 BINAM의 흡착구조 변화를 통해서, 두 개의 아민 작용기의 비공유 전자쌍이 down-Ge원자에 전자를 주면서 두 개의 배위결합을 형성한다는 것을 관찰하였다. BINAM 분자는 상온에서 구조 A와 구조 B가 서로 바뀌고, Ge(100) 표면에서 이동하는 것이 관찰되었다. 이 결과는 BINAM 분자와 Ge(100) 표면의 약한 결합은 상온에서 주어지는 열 에너지나 팁과 샘플 사이에 형성된 전기장에 의해서 끊어질 수 있음을 보였다. 표면온도 $T_s$ = 350 K에서 Ge(100) 표면에 흡착된 BINAM 분자들은 분자들 사이의 상호작용 때문에 세 가지 다른 방향성을 갖는 1차원 BINAM 분자사슬을 형성하였다.