다결정 실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 기존의 다결정 실리콘 박막트랜지스터에서의 누설전류를 감소시키는 새로운 구조의 다결정 실리곤 박막트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것이다.다결정 박막트랜지스터의 단점은 OFF 상태에서 누설전류가 크고 불균일하다는데 있다. 이를 개선하기 위하여 기존에는 트랜지스터 구조에서 드레인과 채널 사이에 오프셋(offset) 저항구조를 이용하였으나 이 경우 누설전류와 ON 전류가 함께 낮아지는 결과가 야기된다. 또 다른 구조는 다결정 박막트랜지스터를 두개이상 직립 연결하는 멀티게이트(multi gate) 구조나 멀티게이트와 오프셋의 혼용구조로 이 경우 광투과 개구율이 낮아지는 단점이 있다. 본 발명에서는 박막 채널에 다결정박막을 채우고 드레인과 드레인 부근에서 비정질 박막으로 구성하여 채널 영역에 비정질과 다결정을 동시에 이용함으로써 누설전류를 비정질 박막트랜지스터 수준에 가깝게 낮추면서도 ON 전류를 다결정 박막트랜지스터의 수준으로 높게 유지시키는 새로운 박막트랜지스터 구조를 발명하였다.