다결성 규소박막의 제조방법

Abstract

본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 폴라즈마 기상 화학 증착 방법을 이용하여 이중층 구조를 갖는 비정질 규소 박막을 증착한 후 이를 저온에서 열처리하여 입자크기가 큰 다결정 규소 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 목적은 종래의 방법에 비하여 비정질 규소박막의 증착 시 증착 조건만을 변화시켜 추가비용 증가가 없고, 또한 기존의 방법과 병행하여 사용할 경우 더욱 좋은 결과를 얻을 수 있는 새로운 다결정 규소박막의 제조방법을 제공함에 있다.즉, 본 발명은 이중층 구조의 비정질 규소박막의 증착도중 증착변수를 변화시켜 고상결정화하여 입자크기를 조절함을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법이다.본 발명에 의한 다결정 규소박막은 액정 디스플레이, SRAM 등에 사용되는 TFT용 활성층, 태양전지 및 SOI 등에 사용될 수 있다.