SBT 강유전체 박막의 제조방법

Abstract

본 발명은 SBT(SrBi2Ta2O9) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박박(SrBi2Ta2O9 ; 스크론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극(Pr)이 15 μC/cm2 이상, 항전계(Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse) 하에서 1 X 1011 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C5F6HO2)2, Bi(C6H5)3, Ta(C2H5O)5 를 사용하여 110-130℃, 140-160℃ 및 120-140℃로 각각 버블링(bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550℃로 저온증착시키는 SBT(SrBi2Ta2O9) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다.