DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 윤경진 | ko |
dc.contributor.author | 김주선 | ko |
dc.contributor.author | 강석중 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-11-18T07:01:35Z | - |
dc.date.available | 2022-11-18T07:01:35Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300071 | - |
dc.description.abstract | 유전성 산화층이 얇고 균일하게 형성된 고유전율 소자용 티탄산스트론튬 입계 절연형 유전체의 제조 방법을 제공한다.티탄산스트론튬 분말에 Nb2O3를 첨가하고 냉간 가압 성형한다. 이어서 성형체를 1480도C의 온도, H2/N2=5/95 분위기하에서 4시간 동안 소결한다. 티탄산스트론튬 소결체를 경면 연마하여 한 쪽 경면에는 BaTiO3와 CaTiO3의 혼합물로, 나머지 면은 상기 소결체와 동일한 조성의 분말로 둘러 싸서 냉간 가압 성형하고, 이어서 1200-1400도C, H2/N2=5/95 분위기하에서 5-30시간 동안 열처리하여 티탄산스트론튬 소결체에 BaTiO3와 CaTiO3를 고상 확산시킨 후, 추가로 공기 또는 산소 분위기, 900-1200도C의 온도, 0.1-5시간의 조건하에서 산화시킴으로써 고유전율 소자용 입계 산화형 티탄산스트론튬 유전체가 얻어진다. | - |
dc.title | 입계조절형티탄산스트론튬의제조방법 | - |
dc.title.alternative | METHOD FOR PREPARING GRAIN BOUNDARY-CONTROLLING STRONTIUM TITANATE | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 강석중 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 윤경진 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김주선 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1993-0003376 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0098589-0000 | - |
dc.date.application | 1993-03-06 | - |
dc.date.registration | 1996-04-22 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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