이온제어 트랜지스터 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 그 제조 방법ION CONTROLLABLE TRANSISTOR FOR NEUROMORPHIC SYNAPSE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 유지만 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-07-26T12:00:25Z | - |
| dc.date.available | 2022-07-26T12:00:25Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/297589 | - |
| dc.description.abstract | 시냅스 가중치가 아날로그적으로 갱신되고 유지됨으로써 메모리 및 뉴로모픽 컴퓨팅을 위해 사용되는 이온제어 트랜지스터 기반 뉴로모픽 시냅스 소자가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 이온제어 트랜지스터 기반 뉴로모픽 시냅스 소자는, 반도체 기판 상에 형성되는 채널 영역; 상기 채널 영역의 양측에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 채널 영역의 상부에 배치되는 층간 절연막; 상기 층간 절연막의 상부에 형성되는 게이트 영역; 및 상기 층간 절연막과 상기 게이트 영역 사이에 삽입되는 고체 전해질층을 포함한다. | - |
| dc.title | 이온제어 트랜지스터 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | ION CONTROLLABLE TRANSISTOR FOR NEUROMORPHIC SYNAPSE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유지만 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0177102 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2424747-0000 | - |
| dc.date.application | 2020-12-17 | - |
| dc.date.registration | 2022-07-20 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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