광전류 특성이 가변되는 광전소자, 그 제어방법 및 제조방법Photolelectronic device with variable hotodocuctivity, a method for controlling the same and the manufacturing methd for the same

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dc.contributor.author최성율ko
dc.contributor.author유경식ko
dc.contributor.author이강준ko
dc.contributor.author박정훈ko
dc.date.accessioned2022-04-13T07:18:21Z-
dc.date.available2022-04-13T07:18:21Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/292696-
dc.description.abstract광전소자로서, 기판; 상기 기판 상에 적층된 채널층; 상기 채널층 상에 이격되어 적층된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레이 전극 사이에서 상기 채널층 상에 적층된 광전활성층을 포함하며, 상기 광전활성층은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)를, 상기 채널층은 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전류 특성이 가변되는 광전소자가 제공된다.-
dc.title광전류 특성이 가변되는 광전소자, 그 제어방법 및 제조방법-
dc.title.alternativePhotolelectronic device with variable hotodocuctivity, a method for controlling the same and the manufacturing methd for the same-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor최성율-
dc.contributor.localauthor유경식-
dc.contributor.nonIdAuthor이강준-
dc.contributor.nonIdAuthor박정훈-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2020-0011389-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2374229-0000-
dc.date.application2020-01-30-
dc.date.registration2022-03-10-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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