InP 기판을 이용한 소자 제조 방법Methods of fabricating device using InP substrate

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dc.contributor.author나노종합기술원ko
dc.contributor.author이종원ko
dc.contributor.author김영수ko
dc.contributor.author임성규ko
dc.contributor.author노길선ko
dc.date.accessioned2021-09-14T23:50:14Z-
dc.date.available2021-09-14T23:50:14Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/287786-
dc.description.abstract본 발명은 InP 기판을 준비하는 단계; 상기 InP 기판 상에 SiO2층을 형성하는 단계; 상기 SiO2층 상에 Cr층을 형성하는 단계; 상기 Cr층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 Cr층을 식각하여 Cr패턴을 형성하는 단계; 상기 Cr패턴을 마스크로 이용하여 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 및 상기 SiO2패턴을 마스크로 이용하여 상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는 InP 기판을 이용한 소자 제조 방법을 제공한다.-
dc.titleInP 기판을 이용한 소자 제조 방법-
dc.title.alternativeMethods of fabricating device using InP substrate-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.nonIdAuthor이종원-
dc.contributor.nonIdAuthor김영수-
dc.contributor.nonIdAuthor임성규-
dc.contributor.nonIdAuthor노길선-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2020-0148527-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2300920-0000-
dc.date.application2020-11-09-
dc.date.registration2021-09-06-
dc.publisher.countryKO-
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RIMS Patents
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