InP 기판을 이용한 소자 제조 방법Methods of fabricating device using InP substrate

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본 발명은 InP 기판을 준비하는 단계; 상기 InP 기판 상에 SiO2층을 형성하는 단계; 상기 SiO2층 상에 Cr층을 형성하는 단계; 상기 Cr층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 Cr층을 식각하여 Cr패턴을 형성하는 단계; 상기 Cr패턴을 마스크로 이용하여 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 및 상기 SiO2패턴을 마스크로 이용하여 상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는 InP 기판을 이용한 소자 제조 방법을 제공한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2020-11-09
Application Number
10-2020-0148527
Registration Date
2021-09-06
Registration Number
10-2300920-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/287786
Appears in Collection
RIMS Patents
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