입자 표면 코팅을 위한 개시제를 이용한 화학 기상 증착 시스템 및 그 방법SYSTEM OF INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR PARTICLE SURFACE COATING AND THE METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 최준환 | ko |
| dc.contributor.author | 이민석 | ko |
| dc.contributor.author | 장원태 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-02-15T05:50:15Z | - |
| dc.date.available | 2021-02-15T05:50:15Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/280719 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 챔버 내부에서 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 챔버 외부에서 냉각시켜 다시 챔버로 주입하는 과정을 반복하여 입자의 고분자 두께를 결정하는 입자 표면 코팅을 위한 개시제를 이용한 화학 기상 증착 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 챔버 상부에 위치하며, 챔버의 내부로 입자(particle)를 주입하는 입자 주입부, 챔버 중앙에 위치하며, 상기 챔버의 내부로 단량체(Monomer) 및 개시제(initiator)를 주입하는 전구체 주입부, 챔버 하부에 위치하며, 상기 입자 주입부에 의해 주입되어 중력에 의해 하락하면서 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 회수하는 입자 회수부 및 상기 입자 회수부를 통해 챔버의 외부로 회수된 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 냉각시키는 입자 냉각부를 포함한다. | - |
| dc.title | 입자 표면 코팅을 위한 개시제를 이용한 화학 기상 증착 시스템 및 그 방법 | - |
| dc.title.alternative | SYSTEM OF INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR PARTICLE SURFACE COATING AND THE METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최준환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이민석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 장원태 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0157873 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2214614-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-12-10 | - |
| dc.date.registration | 2021-02-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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