이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법VERTICAL TYPE TRANSISTOR WITH HETERO-JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

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dc.contributor.author박인규ko
dc.contributor.author조민규ko
dc.date.accessioned2021-01-14T00:50:20Z-
dc.date.available2021-01-14T00:50:20Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/279902-
dc.description.abstract본 발명의 일 실시예에 따른 이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 제조 방법은, 제1 전자 이동도를 가지는 제1 물질로 구성되는 제1 레이어, 상기 제1 전자 이동도 보다 큰 제2 전자 이동도를 가지는 제2 물질로 구성되는 제2 레이어 및 상기 제1 물질로 구성되는 제3 레이어를 포함하는 다층 구조를 생성하는 단계와, 상기 다층 구조에 대해 수직으로 소스(source), 드레인(drain), 게이트(gate)를 형성하여 수직형 트랜지스터를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.-
dc.title이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법-
dc.title.alternativeVERTICAL TYPE TRANSISTOR WITH HETERO-JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor박인규-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2019-0011453-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2198765-0000-
dc.date.application2019-01-29-
dc.date.registration2020-12-29-
dc.publisher.countryKO-
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ME-Patent(특허)
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