이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법VERTICAL TYPE TRANSISTOR WITH HETERO-JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박인규 | ko |
| dc.contributor.author | 조민규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-01-14T00:50:20Z | - |
| dc.date.available | 2021-01-14T00:50:20Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/279902 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 따른 이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 제조 방법은, 제1 전자 이동도를 가지는 제1 물질로 구성되는 제1 레이어, 상기 제1 전자 이동도 보다 큰 제2 전자 이동도를 가지는 제2 물질로 구성되는 제2 레이어 및 상기 제1 물질로 구성되는 제3 레이어를 포함하는 다층 구조를 생성하는 단계와, 상기 다층 구조에 대해 수직으로 소스(source), 드레인(drain), 게이트(gate)를 형성하여 수직형 트랜지스터를 제조하는 단계를 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | VERTICAL TYPE TRANSISTOR WITH HETERO-JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박인규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0011453 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2198765-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-01-29 | - |
| dc.date.registration | 2020-12-29 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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