이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법VERTICAL TYPE TRANSISTOR WITH HETERO-JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

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본 발명의 일 실시예에 따른 이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 제조 방법은, 제1 전자 이동도를 가지는 제1 물질로 구성되는 제1 레이어, 상기 제1 전자 이동도 보다 큰 제2 전자 이동도를 가지는 제2 물질로 구성되는 제2 레이어 및 상기 제1 물질로 구성되는 제3 레이어를 포함하는 다층 구조를 생성하는 단계와, 상기 다층 구조에 대해 수직으로 소스(source), 드레인(drain), 게이트(gate)를 형성하여 수직형 트랜지스터를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2019-01-29
Application Number
10-2019-0011453
Registration Date
2020-12-29
Registration Number
10-2198765-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/279902
Appears in Collection
ME-Patent(특허)
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