0에 가까운 유전율을 가지는 물질을 통한 대형 그래핀 공진기의 구현 방법Realization of Large Scale Mid-Infrared Plasmon in Graphene Based on Epsilon-Near-Zero Silicon Carbide Substrate

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엡실론-근사-제로(Epsilon-Near-Zero; ENZ)의 특성을 갖는 기판과, 기판 상에 형성된 그래핀 플라즈몬 공진기 패턴을 포함하는, 그래핀 플라즈몬 공진기 및 그 제조 방법이 제공된다. 그래핀 플라즈몬 공진기는 적외선 광(예컨대, 중석외선 광)이 조사될 때 플라즈몬 공진을 발생시키며, 적외선(중적외선) 광학 소자를 구성하기 위해 사용된다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2018-11-26
Application Number
10-2018-0147425
Registration Date
2020-12-11
Registration Number
10-2193204-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/279013
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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