일함수 조절이 가능한 그래핀 배리스터를 포함하는 반도체 소자

Abstract

본 발명에 따른 반도제 소자는 그래핀을 포함하는 제1 단자 구조체, 제1 단자 구조체에 결합되는 발광 레이어, 발광 레이어에 결합되는 제2 단자 구조체 및 제1,2 단자 구조체 중 어느 하나의 단자 구조체에 접하는 기판을 포함하고, 상기 제1 단자 구조체는 게이트 단자, 절연체, 및 그래핀이 순서대로 적층된 구조로서 상기 그래핀은 제1 단자 구조체 및 발광 레이어 사이에 배치되는 것이 특징이다. 본 발명은 그래핀 배리스터에서 사용된 전기장 값에 따라 일함수가 변하는 그래핀의 고유의 특성을 LED 또는 OLED의 발광 장치에 적용시켜 자유로운 일함수 조절이 가능하게 하고, 그래핀 전극이 공기 중에 노출되지 않게 함으로써 시간 경과 여부에 관계없이 그래핀 전극 본연의 특성을 잘 유지할 수 있게 한다.