멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법MULTI LEVEL MEMORY DEVICE AND ITS DATA SENSING METHOD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 류승탁 | ko |
| dc.contributor.author | 진동환 | ko |
| dc.contributor.author | 권지욱 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-09-18T04:25:23Z | - |
| dc.date.available | 2020-09-18T04:25:23Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/276264 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따르면, 메모리 셀에 저장된 데이터를 검출해내는 동안 셀전류를 지속적으로 흘릴 필요가 없고, 메모리 셀에 저장된 데이터의 하위 비트를 결정하는 동안 다른 메모리 셀에 저장된 데이터의 상위 비트 결정 동작을 수행할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공한다.본원의 제1 발명에 따른 멀티 레벨 메모리 소자는, 메모리 셀에 흐르는 셀전류를 소정의 기준치 전류와 비교하여 복수의 상위 비트를 결정하는 상위 비트 결정부; 상기 셀전류를 복제한 셀복제전류를 소정의 셀전압으로 변환하여 저장하는 전류/전압 변환부; 상기 셀복제전류를 상기 소정의 셀전압으로 변환하여 저장하는 충전시간을 결정하는 충전시간 결정부; 및 상기 충전시간 결정부로부터 출력되는 충전 종료 신호에 대응하여 복수의 하위 비트를 결정하는 하위 비트 결정부를 포함한다. | - |
| dc.title | 멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법 | - |
| dc.title.alternative | MULTI LEVEL MEMORY DEVICE AND ITS DATA SENSING METHOD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 류승탁 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 진동환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 권지욱 | - |
| dc.contributor.assignee | 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0144746 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2155060-0000 | - |
| dc.date.application | 2014-10-24 | - |
| dc.date.registration | 2020-09-07 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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