개방형 회로전압을 위한 큰 밴드갭 이중층 홀수송층을 가지는 양자점 광전지Large band gap bilayered hole-transport-layer of quantum dot photovoltaic to reduce open-circuit voltage issue

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본 발명은 홀수송층(Hole transport layer, HTL)에 에너지 장벽이 큰 물질을 활용하는 것으로 누설전류를 최소화 하여 태양전지 소자의 성능을 개선할 수 있는 개방형 회로전압을 개선하기 위한 큰 밴드갭 이중층 홀수송층을 가지는 양자점 광전지에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 투명전극; (b) N-타입 반도체; 상기 홀 수송층은 가전자대 준위(valence band level) 및 전도대 준위(coneuction band level) 사이에 밴드갭이 형성되며, 상기 홀 수송층의 가전자대 준위는 상기 양자점 층의 가전자대 준위 보다 높은 위치 에너지를 갖고, 홀 수송층의 전도대 준위는 상기 양자점 층의 전도대 준위보다 높은 위치에너지 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 광전지를 제공한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2018-10-16
Application Number
10-2018-0123266
Registration Date
2020-05-08
Registration Number
10-2111122-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/274364
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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